[충청뉴스 이성현 기자] 한국전자통신연구원(ETRI)은 차세대 핵심 반도체 소재 ‘산화갈륨’ 관련 전문학술워크숍을 개최한다고 30일 밝혔다.
산화갈륨(Ga2O3)은 실리콘(Si), 질화갈륨(GaN), 탄화규소(SiC)와 같은 반도체 물질이다.
하지만 기존 반도체 소재들보다 에너지 밴드 갭(Band Gap)이 넓은 울트라와이드 밴드 갭(UWBG) 소재로 더 높은 전압과 온도에서도 더 높은 전력효율을 갖는다.
또 기존 소재에는 적용하기 어려운 용융상 성장법(Melt-growth method)을 통해 용액에서 고품질 대면적 웨이퍼로 만들기가 쉬워 저비용으로 대형 고전력 소자 제작이 가능하다.
아울러 산화갈륨 반도체는 뛰어난 전력효율로 인해, 에너지 낭비를 줄이고 탄소 저감에도 기여할 수 있어, 미래 탄소중립 실현을 위한 차세대 전력반도체 소재로도 각광받고 있다.
이번 학술워크숍은 한국산화갈륨기술연구회 주관으로 국내에서 유일하게 열리는 산화갈륨 반도체 소재·디바이스 및 응용기술 전문가 학술 워크숍이다.
워크숍은 ‘산화갈륨으로 꿈꾸는 미래 탄소중립과 신시장 개척’을 주제로 산화갈륨 관련 30편의 최신 연구결과 논문발표와 정부지원 R&D 연구성과물 전시회 등으로 진행된다.
특히 ▲원료 및 단결정 성장기술 ▲에피성장 및 도핑기술 ▲응용소자 및 공정기술 ▲시뮬레이션 및 특성분석 등 4개 세션을 통해 최신 산화갈륨 소재·디바이스·응용기술 관련 30편의 논문발표가 진행된다.
이와 함께 정부 R&D 지원을 통해 창출한 ▲산화갈륨 파우더 ▲산화갈륨 단결정 벌크 잉곳 ▲산화갈륨 에피 소재 그리고 ▲세계 최초의 4인치 대면적 산화갈륨 전력반도체 소자 등 산화갈륨 연구성과를 한자리에 전시해 국내 산화갈륨 연구개발 수준을 실물로 확인할 수 있다.
문재경 한국산화갈륨기술연구회장(ETRI 책임연구원)도“이번 산화갈륨전문학술워크숍은 통해 산화갈륨 관련 학술적 성과뿐만 아니라 최신 연구성과물을 여러 산·학·연 전문가 및 국민들과 공유할 수 있어 매우 뜻깊은 행사이다. 앞으로도 산화갈륨 기술을 선도하기 위해 산·학·연이 긴밀히 협조하며, 학술 활동을 지속해나갈 계획이다”고 밝혔다.
한편 올해로 5회째 개최되는 산화갈륨학술워크숍은 차세대 울트라 와이드 밴드 갭 반도체 소재인 산화갈륨 원천기술을 확보하고, 반도체 강국인 우리나라가 산화갈륨 분야에서도 기술주도권을 선점하기 위해 매년 개최되고 있다. 지난 4년간 발표된 논문만 하여도 122편에 달한다.
