양자점 표면 결함...오히려 QLED 발광 성능 높인다?
양자점 표면 결함...오히려 QLED 발광 성능 높인다?
  • 이성현 기자
  • 승인 2021.10.19 12:00
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한국연구재단, QLED 무장벽 전하주입 현상 원리 규명 소개
양자점 전계발광소자의 구동 특성과 에너지 준위
양자점 전계발광소자의 구동 특성과 에너지 준위

천연색의 순도를 실감나게 재현할 차세대 발광소재로 주목받는 양자점 표면의 결함이 오히려 발광 성능 향상의 실마리가 된다는 연구결과가 나와 화제다.

한국연구재단은 성균관대 임재훈 교수와 한국과학기술원(KAIST) 이도창 교수 공동연구팀이 QLED의 무장벽 전하주입 현상 원리를 규명했다고 19일 밝혔다.

기존에는 각 전극을 통해 주입된 전자와 정공이 가운데 양자점에서 만나 발광하는 QLED에서 양자점 주변 전기전도층이 전자와 정공의 흐름(주입)을 방해하는 장벽으로 작용한다고 알려져 있었다.

이에 적색 QLED는 가시광선(적색)에 해당하는 에너지인 2V를 초과하는 구동전압이 필요하다는 것이 정설이었다.

그러나 연구팀은 일부 양자점에서 전하 주입 장벽의 존재에도 불구하고 2V보다 낮은 1.5V 전압으로도 빛을 내는 것을 알아냈다. 구동전압이 낮을수록 소자작동에 필요한 에너지가 줄어들기에 상용화에 유리하다.

또 이 과정에서 양자점 표면 결함이 양자점을 중심으로 배열된 서로 다른 소재간 에너지 준위 재정렬을 유도해 전하 주입 장벽을 어느 정도 상쇄할 수 있는 디딤돌로 작용함을 알아냈다.

저전력·고효율 양자점 전계발광소자 구현 원리를 제시한 이번 연구 결과가 고해상도·장수명 디스플레이 구현을 앞당길 것으로 기대되고 있다.

한편 이번 연구 결과는 국제학술지 ‘네이처 커뮤니케이션스(Nature Communi cations)’에 게재됐다.

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