[충청뉴스 이성현 기자] 한국전자통신연구원(ETRI)이 디스플레이 소재인 산화물 반도체를 활용해 전하 저장 공간(캐패시터)이 필요 없는 혁신적인 차세대 DRAM 구조를 구현했다고 14일 밝혔다.
연구진에 따르면 기존 실리콘 기반 DRAM(1T1C)은 공정이 미세해질수록 캐패시터 제작 난도가 급상승하고 전력 누설이 심화되는 구조적 한계에 부딪혀왔다.
이에 전기가 새어 나가는 '누설 전류'가 현저히 적은 산화물 반도체에 주목하여 캐패시터를 완전히 제거한 구조를 설계했다.
연구진은 알루미늄 첨가 ITZO 소재와 정밀 플라즈마 공정을 도입해 소자 내부 결함을 줄이고 누설 전류를 효과적으로 차단했다.
그 결과 기존 2T0C DRAM의 약점으로 꼽히던 데이터 유지 시간을 1000초 이상으로 늘렸으며, 데이터를 구분하는 성능인 '메모리 윈도우'를 13배나 향상시키는 성과를 거뒀다.
ETRI 남수지 박사는 “앞으로 3차원 반도체 집적 기술 구현에 중요한 역할을 할 것으로 기대된다”고 말했다.
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