[충청뉴스 이성현 기자] 국립 한밭대학교는 창의융합학과 4학년 김하영 학생(지도교수 김민회)이 전기전자 소자 분야의 저명한 국제학술지인 ‘IEEE Electron Device Letters’에 비휘발성 메모리에 대한 논문을 게재했다고 밝혔다.
IEEE Electron Device Letters는 전기전자 소자의 이론, 모델링, 설계 등에 관한 내용을 다루는 전기전자 소자 분야에서 세계적으로 권위 있는 학술지이다.
본 논문의 주저자인 김하영 학생은 학석사통합과정 4학년생으로 2학년부터 창의융합학과 연성전자소자연구실에서 연구를 지속해왔으며, 이번에 연구팀과 함께 ‘Electrically Erasable Wide-Bandgap Charge-Trap Memory with an Electric-Flux-Modulating Counter Electrode’라는 제목으로 논문을 실었다.
본 논문을 통해 플래시 메모리에 인듐-갈륨-아연-산화물을 반도체로 사용했을 때 지우기 동작이 되지 않는 문제점이 발생하는 원인을 체계적으로 밝히고 이의 구조적 해결 방법 또한 제시했다.
해당 연구에서, 반도체의 전도대역과 가전자대역 사이의 에너지 차이를 의미하는 밴드갭이 다른 세 반도체를 이용함으로써, 지우기 동작이 밴드갭 크기에 영향을 받는다는 것을 규명했고, 이를 바탕으로 기존 메모리 구조 상부에 금속을 추가하여 지우기 동작이 가능한 새로운 소자 구조를 제시했다.
제시된 구조는 인듐-갈륨-아연-산화물뿐만 아니라 다른 넓은 밴드갭을 가진 소자에도 적용될 수 있는 범용성을 갖고 있어 그 가치가 더욱 높으며, 이번 연구는 간단한 구조적 접근을 통해 인듐-갈륨-아연-산화물 반도체 기반 비휘발성 메모리 소자의 문제점을 해결함으로써 차세대 메모리 기술 발전에 기여할 것으로 기대된다.
한편, 이번 논문은 지난 9월 관련 학술지의 온라인판에 게재(https://ieeexplore.ieee.org/document/10247031)됐으며, 해당 연구는 한국연구재단의 중점연구소지원사업(교육부, 2018R1A6A1A03026005)과 중견연구자지원사업(과학기술정보통신부, 2021R1A2C2011560)의 지원을 받아 수행했다.
